半导体物理考试大纲
一、考试科目基本要求及适用范围概述:
主要内容为:半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;pn结;金属和半导体的接触;半导体表面与MIS结构;半导体异质结构;半导体的光、热、磁、压阻等物理现象。要求考生熟练掌握《半导体物理》课程的基本概念与基本运算,并能加以灵活应用。
二、考试形式和试卷结构
试题题型为计算题。
三、考试内容
(一)半导体中的电子状态
1. 半导体的晶格结构和结合性质;
2. 半导体中的电子状态和能带;
3. 半导体中的电子运动和有效质量;
4. 本征半导体的导电机构;
5. 回旋共振;
6. 硅和锗的能带结构;
7. III-V族化合物半导体的能带结构;
8. II-VI族化合物半导体的能带结构。
(二)半导体中杂质和缺陷能级
1. 硅、锗晶体中的杂质能级;
2. III-V族化合物中杂质能级;
3. 缺陷、位错能级。
(三)半导体中载流子的统计分布
1. 状态密度;
2. 费米能级和载流子的统计分布;
3. 本征半导体的载流子浓度;
4. 杂质半导体的载流子浓度;
5. 一般情况下的载流子统计分布;
6. 简并半导体。
(四)半导体的导电性
1. 载流子的漂移运动和迁移率;
2. 载流子的散射;
3. 迁移率与杂质浓度和温度的关系;
4. 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系;
5. 玻尔兹曼方程、电导率的统计理论;
6. 强电场下的效应、热载流子;
7. 多能谷散射、耿氏效应。
(五)非平衡载流子
1. 非平衡载流子的注入与复合;
2. 非平衡载流子的寿命;
3. 准费米能级;
4. 复合理论;
5. 陷阱效应;
6. 载流子的扩散运动;
7. 载流子的漂移扩散、爱因斯坦关系式;
8. 连续性方程;
9. 硅的少数载流子寿命与扩散长度。
(六)pn结
1. pn结及其能带图;
2. pn结电流-电压特性;
3. pn结电容;
4. pn结击穿;
5. p-n结隧道效应。
(七)金属和半导体的接触
1. 金属半导体接触及其能级图;
2. 金属半导体接触整流理论;
3. 少数载流子的注入和欧姆接触。
(八)半导体表面与MIS结构
1. 表面态;
2. 表面电场效应;
3. MIS结构的C-V特性;
4. 硅─二氧化硅系数的性质;
5. 表面电导及迁移率;
6. 表面电场对pn结特性的影响
(九)半导体异质结构
1. 半导体异质结及其能带图;
2. 半导体异质pn结的电流-电压特性及注入特性;
3. 半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性;
4. 半导体超晶格。
(十)半导体的光学性质和光电与发光现象
1. 半导体的光学常数;
2. 半导体的光吸收;
3. 半导体的光电导;
4. 半导体的光生伏特效应;
5. 半导体发光;
6. 半导体激光;
7. 半导体异质结在光电器件中的应用。
(十一)半导体的热电性质
1. 热电效应的一般描述;
2. 半导体的温差电动势率;
3. 半导体的玻尔帖效应;
4. 半导体的汤姆孙效应;
5. 半导体的热导率;
6. 半导体热电效应的应用。
(十二)半导体磁和压阻效应
1. 霍耳效应;
2. 磁阻效应;
3. 磁光效应;
4. 量子化霍耳效应;
5. 热磁效应;
6. 光磁电效应;
7. 压阻效应。
四、考试要求
(一)半导体中的电子状态
1. 理解和掌握半导体的晶格结构和结合性质;
2. 理解半导体中的电子状态和能带;
3. 理解半导体中的电子运动和有效质量;
4. 理解和掌握本征半导体的导电机构;
5. 理解回旋共振;
6. 理解和掌握硅和锗的能带结构;
7. 理解III-V族化合物半导体的能带结构;
8. 理解II-VI族化合物半导体的能带结构。
(二)半导体中杂质和缺陷能级
1. 理解和掌握硅、锗晶体中的杂质能级;
2. 理解和掌握III-V族化合物中杂质能级;
3. 理解和掌握缺陷、位错能级。
(三)半导体中载流子的统计分布
1. 理解和掌握状态密度;
2. 理解和掌握费米能级和载流子的统计分布;
3. 理解和掌握本征半导体的载流子浓度;
4. 理解和掌握杂质半导体的载流子浓度;
5. 理解和掌握一般情况下的载流子统计分布;
6. 理解和掌握简并半导体。
(四)半导体的导电性
1. 理解和掌握载流子的漂移运动和迁移率;
2. 理解和掌握载流子的散射;
3. 理解和掌握迁移率与杂质浓度和温度的关系;
4. 理解和掌握电阻率及其与杂质浓度和温度的关系;
5. 理解和掌握玻尔兹曼方程、电导率的统计理论;
6. 理解和掌握强电场下的效应、热载流子;
7. 理解多能谷散射、耿氏效应。
(五)非平衡载流子
1. 理解和掌握非平衡载流子的注入与复合;
2. 理解和掌握非平衡载流子的寿命;
3. 理解和掌握准费米能级;
4. 理解和掌握复合理论;
5. 理解和掌握陷阱效应;
6. 理解和掌握载流子的扩散运动;
7. 理解和掌握载流子的漂移扩散、爱因斯坦关系式;
8. 理解和掌握连续性方程;
9. 理解和掌握硅的少数载流子寿命与扩散长度。
(六)pn结
1. 理解和掌握pn结及其能带图;
2. 理解和掌握pn结电流-电压特性;
3. 理解和掌握pn结电容;
4. 理解和掌握pn结击穿;
5. 理解和掌握p-n结隧道效应。
(七)金属和半导体的接触
1. 理解和掌握金属半导体接触及其能级图;
2. 理解和掌握金属半导体接触整流理论;
3. 理解和掌握少数载流子的注入和欧姆接触。
(八)半导体表面与MIS结构
1. 理解和掌握表面态;
2. 理解和掌握表面电场效应;
3. 理解和掌握MIS结构的C-V特性;
4. 理解和掌握硅─二氧化硅系数的性质;
5. 理解和掌握表面电导及迁移率;
6. 理解表面电场对pn结特性的影响
(九)半导体异质结构
1. 理解和掌握半导体异质结及其能带图;
2. 理解和掌握半导体异质pn结的电流-电压特性及注入特性;
3. 理解半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性;
4. 理解和掌握半导体超晶格。
(十)半导体的光学性质和光电与发光现象
1. 理解半导体的光学常数;
2. 理解半导体的光吸收;
3. 理解半导体的光电导;
4. 理解半导体的光生伏特效应;
5. 理解半导体发光;
6. 理解半导体激光;
7. 理解半导体异质结在光电器件中的应用。
(十一)半导体的热电性质
1. 理解热电效应的一般描述;
2. 理解半导体的温差电动势率;
3. 理解半导体的玻尔帖效应;
4. 理解半导体的汤姆孙效应;
5. 理解半导体的热导率;
6. 理解半导体热电效应的应用。
(十二)半导体磁和压阻效应
1. 理解和掌握霍耳效应;
2. 理解磁阻效应;
3. 理解磁光效应;
4. 理解量子化霍耳效应;
5. 理解热磁效应;
6. 理解光磁电效应;
7. 理解压阻效应。
五、主要参考教材
刘恩科,朱秉升,罗晋生.《半导体物理学》,电子工业出版社,2023年5月
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